单步工艺

硅干法刻蚀

工艺介绍:

1、图形最小线宽:不同光刻方式下线宽不同,nm-um级均可以加工;

2、深宽比:硅柱深宽比5:1,硅坑或硅槽深宽比10:1;

3、Bosch工艺侧壁垂直度:88-89度;

4、片内同一图形刻蚀均匀性在±5%左右;

5、刻蚀深度精度在±5%左右;

6、衬底尺寸:一般整晶圆加工,8寸及以下兼容。



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