工艺介绍：
ITO电极：在有ITO膜层的基底上旋涂光刻胶，通过接触式紫外光刻方式将掩模版上设计的图形转移到衬底表面光刻胶膜上，再通过干法刻蚀或湿法腐蚀的方式将光刻胶图形转移到ITO膜层上，最后有机清洗去除光刻胶，得到带有ITO电极图形的晶圆。后续可以切割成所需尺寸。
1、图形线宽：不同光刻方式下线宽不同，理论上nm-um级均可以加工；
2、衬底尺寸：一般整晶圆加工，8寸及以下兼容；
3、ITO膜厚一般在100nm左右；
4、客户可以提供做好ITO膜层的基底片。
